In dieser Studie wurde eine InP- Schicht auf ein Si- Substrat übertragenmit einem thermischen Oxid beschichtet, durch einen Prozess, der Ionenschneideprozess und selektives chemisches Ätzen kombiniert. Verglichen mit dem herkömmlichen Ionenschneiden von Bulk-InP-Wafern nutzt dieses Schichtübertragungsschema nicht nur das Ionenschneiden, indem die verbleibenden Substrate zur Wiederverwendung aufbewahrt werden, sondern nutzt auch den Vorteil des selektiven Ätzens, um die übertragenen Oberflächenbedingungen ohne den Einsatz von Chemikalien und Mechanik zu verbessern Polieren. Eine anfänglich durch MOCVD gewachsene InP/InGaAs/InP-Heterostruktur wurde mit H+-Ionen implantiert. Die implantierte Heterostruktur wurde auf einen mit einer thermischen SiO 2 -Schicht beschichteten Si-Wafer gebondet. Beim anschließenden Tempern blätterte die gebundene Struktur in der Tiefe um den im InP-Substrat befindlichen Wasserstoff projizierten Bereich ab. Rasterkraftmikroskopie zeigte, dass nach selektivem chemischen Ätzen auf der so übertragenen Struktur,

Quelle: IOPscience

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