SiC 4H,6H,Wafer SpecificationXiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd.

Wonach suchen Sie?

luna@powerwaywafer.com

powerwaymaterial@gmail.com

Zuhause / sic 4h, 6h, Waferspezifikation /

SiC 4H,6H,Wafer Specification

sic 4h, 6h, Waferspezifikation

Kategorien

Empfohlene Produkte

neuesten Nachrichten

Dichtefunktionaltheoretische Berechnungen von Atomkonfigurationen und Bandlücken von C-, Ge- und Sn-dotierten Si-Kristallen für Solarzellen

2020-03-17
Elektrische Leitfähigkeit von direkt Wafer-gebondeten GaAs/GaAs-Strukturen für Wafer-gebondete Tandem-Solarzellen

2020-03-09

SiC 4H,6H,Wafer Specification

2018-03-15

Bisherige : Types and Uses of GaAs Devices
Nächster: Ge Single Crystals and Wafer Specification

kontaktiere uns

wenn Sie ein Angebot oder mehr Informationen über unsere Produkte möchten, lassen Sie uns bitte eine Nachricht, wird Ihnen so schnell wie möglich antworten.

Folge uns

Hot Tags

Kontakt Informationen

Wafer Foundry: 26-32#, Liamei Rd. Lianhua Industrial Area, Tong an, Xiamen 361100, China

luna@powerwaywafer.com
powerwaymaterial@gmail.com
+86-592-5601 404

tritt unserer Gemeinschaft bei

linkin

Copyright © 2012 Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. All Copy Right Reserved.

Kontakt Informationen
luna@powerwaywafer.com
powerwaymaterial@gmail.com
+86-592-5601 404

jetzt chatten Kontaktieren Sie uns & nbsp;