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czt Halbleiterwafer

2017-12-21

czt Halbleiterwafer

cdznte Wafer-Substrat-Cadmium-Zink-Tellurid
Menge y Material Orientierung. Größe verdicken ess Polieren Widerstand Art Dotierstoff fwhm
Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; \u0026 emsp;
1-100 cdznte n / a 10x10 1000 dsp \u0026 gt; 1e10 n @ 59,5kev \u0026 lt; 7%
1-100 cdznte n / a 10x10 2000 dsp \u0026 gt; 1e10 n @ 59,5kev \u0026 lt; 7%
1-100 cdznte -111 10x10 500 ssp n / a p n / a
1-100 cdznte (211) b 10x10 800 dsp n / a n / a n / a
1-100 cdznte n / a 10x10 500 Läppen n / a n / a n / a
1-100 cdznte n / a 10x10 500 dsp n / a n / a n / a
1-100 cdznte n / a 20x20 800 dsp n / a n / a n / a
1-100 cdznte n / a 20x20 5000 dsp n / a n / a n / a
1-100 cdznte n / a 20x20 2000 dsp n / a n / a n / a
1-100 cdznte n / a 20x20 3000 dsp n / a n / a n / a
1-100 cdznte n / a 3x3 2000 dsp n / a n / a n / a

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