(1 1 1)-, (1 1 0)-Cd0,96Zn0,04Te- und (1 1 1)-Cd0,9Zn0,1Te-Halbleiterwafer, die durch das modifizierte vertikale Bridgman-Verfahren mit Abmessungen von 10 mm × 10 mm × 2,5 mm gezüchtet wurden, wurden geläppt B. einer 2–5 µm großen polygonalen Al2O3-Pulverlösung, und dann chemisch-mechanisch mit einer Säurelösung poliert, die Nanopartikel mit einem Durchmesser von etwa 5 nm aufweist, die den Oberflächenrauheiten Ra von 2,135 nm, 1,968 nm und 1,856 nm entsprechen. Die Härte und der Elastizitätsmodul von (1 1 1), (1 1 0) Cd0,96Zn0,04Te und (1 1 1) Cd0,9Zn0,1Te Einkristallen sind 1,21 GPa, 42,5 GPa; 1,02 GPa, 44,0 GPa; bzw. 1,19 GPa, 43,4 GPa. Nachdem das Nanoschneiden durch den Berkovich-Nanoindenter durchgeführt wurde, erreicht die Oberflächenrauhigkeit Ra des (1 1 1)-Cd0,9Zn0,1Te-Einkristalls eine ultraglatte Oberfläche von 0,215 nm. Die Härte und der Elastizitätsmodul von drei Arten vonCdZnTe-Einkristalle nehmen mit zunehmender Eindruckbelastung ab. Wenn der Nanoindenter die Oberfläche der Kristalle verlässt, sind die Adhäsionseffekte für die drei Arten von Einkristallen offensichtlich. Dies wird dem plastischen Haftverhalten von CdZnTe-Material im Nanomaßstab zugeschrieben. Wenn die Eindrucklast der drei Arten von CdZnTe-Einkristallen im Bereich von 4000–12 000 µN liegt, fällt das anhaftende CdZnTe-Material auf dem Nanoindenter auf die Oberfläche und sammelt sich um den Nanoeindruck herum an.

Quelle: IOPscience

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