pam-xiamen produziert qualitativ hochwertige Gallium-Antimonid (Gas) Einkristall-Ingots. Wir runden auch runde, gesägte, geschnittene und polierte Gaswafer ab und liefern eine epi-ready Oberflächenqualität. Gaskristall ist eine Verbindung, die durch 6n reines ga- und sb-Element gebildet wird und durch Flüssig-Einkapselte-Czochralski (lec) -Verfahren mit epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Gaskristall hat e...
In diesem Artikel betrachten wir die Entwicklung von unpolaren (d. h. m-plane und a-plane) und semipolaren (d. h. (20.1) plane) Wafern mittels Ammonothermal-Verfahren. Die Wachstumsverfahren und Polierergebnisse werden beschrieben. Es ist uns gelungen, nicht- und halbpolare Wafer mit 26 mm × 26 mm herzustellen. diese Wafer besitzen hervorragende strukturelle und optische Eigenschaften mit einer Di...
www.semiconductorwafers.net Die direkte Wafer-Bonding-Technologie ist in der Lage, zwei glatte Wafer zu integrieren und kann somit bei der Herstellung von III-V-Mehrfachübergangs-Solarzellen mit Gitterfehlanpassung verwendet werden. Um eine monolithische Verbindung zwischen den Untergruppen gainp / gaas und ingaasp / ingaas herzustellen, muss der gebundene Gaas / inp-Heteroübergang ein hochleitfäh...
Es ist immer noch eine große Herausforderung für Halbleiter-basierte Geräte, einen großen Magnetowiderstand (MR) -Effekt bei einem niedrigen Magnetfeld bei Raumtemperatur zu erhalten. In dieser Arbeit werden die photoinduzierten mr - Effekte unter verschiedenen Beleuchtungsintensitäten bei Raumtemperatur untersucht halbisolierendes Galliumarsenid ( si-gaas ) auf ag / si-gaas / ag Gerät. die Vorric...
der Prozess zur Verringerung der Versetzungsdichte in 3-Zoll-Fe-dotiert Inp-Wafer wird beschrieben. Der Kristallwachstumsprozess ist ein konventioneller flüssigkeitsverkapselter Czochralsky (lec), jedoch wurden thermische Abschirmungen hinzugefügt, um den thermischen Gradienten im wachsenden Kristall zu verringern. Die Form dieser Schilde wurde mit Hilfe numerischer Simulationen von Wärmeübertragu...
Inas-Segmente wurden auf Gaas-Inseln aufgewachsen, zunächst durch Tröpfchen-Epitaxie auf Siliziumsubstrat erzeugt. Wir haben systematisch den Wachstumsparameterraum für die Inasablagerung untersucht und die Bedingungen für das selektive Wachstum identifiziert Gaas und für rein axiales Wachstum. die axialen Inassegmente wurden mit ihren Seitenwänden um 30 $ ^ {{} ^ circ} $ im Vergleich zu den darun...
Dieses Papier schlägt eine neue dreidimensionale (3d) Photolithographie Technologie für einen hochauflösenden Mikrostrukturierungsprozess auf einem Fasersubstrat. Ein kurzer Überblick über die Lithographie-Technologie der nicht-planaren Oberfläche wird ebenfalls vorgestellt. Die vorgeschlagene Technologie umfasst hauptsächlich die Mikrofabrikation des 3D-Belichtungsmoduls und die Sprühabscheidung ...
Te-dotierte GaSb-Einkristalle werden durch Messung von Hall-Effekt, Infrarot (IR) -Transmission und Photolumineszenz (PL) -Spektren untersucht. Es wurde gefunden, dass das GaSb vom n-Typ mit IR-Durchlässigkeit bis zu 60% durch kritische Kontrolle der Te-Dotierungskonzentration und elektrische Kompensation erhalten werden kann. Die Konzentration der nativen Akzeptor-assoziierten Defekte ist offensi...
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