Es wurde ein vertikaler Heißwand-Epi-Reaktor entwickelt, der es ermöglicht, gleichzeitig eine hohe Wachstumsrate und eine großflächige Gleichförmigkeit zu erreichen. Mit einer spiegelähnlichen Morphologie bei 1650 ° C wird eine maximale Wachstumsrate von 250 µm / h erreicht. Unter einem modifizierten Epi-Reaktor Aufbau, eine Dickengleichmäßigkeit von 1,1% und eine Dotierungsgleichförmigkeit von 6,7% für einen Bereich mit einem Radius von 65 mm werden erreicht, während eine hohe Wachstumsrate von 79 um / h aufrechterhalten wird. Eine niedrige Dotierungskonzentration von ~ 1 × 1013 cm –3 wird für einen Bereich von 50 mm Radius erhalten. Das Niedertemperatur-Photolumineszenz (LTPL) -Spektrum zeigt die Vorherrschaft der Peaks für freie Exzitonen mit nur wenigen verunreinigungsbedingten Peaks und den L1-Peak unterhalb der Nachweisgrenze. Die Messung der transienten Spektroskopie im tiefen Bereich (DLTS) für eine bei 80 & mgr; m / h gezüchtete Epilayer-Schicht zeigt niedrige Konzentrationen von Z1 / 2: 1,2 × 1012 und EH6 / 7: 6,3 × 1011 cm –3. EIN 280 µm dicke Epilayer mit einer RMS-Rauheit von 0,2 nm und einer Trägerlebensdauer von ~ 1 µs erhalten.

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