die Dichte und Lichtstreuintensität von Sauerstoff präzipitiert in cz Silizium Kristalle werden durch IR-Lichtstreutomographie gemessen. Die durch die Messungen geklärten numerischen Daten werden in Bezug auf die Menge an ausgefälltem Sauerstoff diskutiert. Die hier erhaltenen Ergebnisse stimmen gut mit der theoretischen Analyse überein, dass Sauerstoffpräzipitate Licht streuen. Die durch ir-Licht...
Te-dotierte GaSb-Einkristalle werden durch Messung von Hall-Effekt, Infrarot (IR) -Transmission und Photolumineszenz (PL) -Spektren untersucht. Es wurde gefunden, dass das GaSb vom n-Typ mit IR-Durchlässigkeit bis zu 60% durch kritische Kontrolle der Te-Dotierungskonzentration und elektrische Kompensation erhalten werden kann. Die Konzentration der nativen Akzeptor-assoziierten Defekte ist offensi...
In dieser Arbeit untersuchen wir unter Verwendung eines vollständig gekoppelten dreidimensionalen elektrothermischen Vorrichtungssimulators den Mechanismus der Effizienzverschlechterung bei Hochstrombetrieb in planar G ein Leuchtdioden auf N-Basis (LED). Insbesondere wurde die Verbesserung der Effizienzverschlechterung unter Verwendung von dickeren leitfähigen GaN-Substraten demonstriert. Zunächst...
Röntgen - topographische und chemische Ätzuntersuchung von Si: Ge-Einkristalle Es wurden 1,2 at% und 3,0 at% Ge zusammen mit genauen Gitterparametermessungen durchgeführt. In Projektionstopographen wurden Beugungskontraste in Form konzentrischer "Quasi-Kreise" (Streifen), wahrscheinlich aufgrund der ungleichmäßigen Verteilung der Ge-Atome, beobachtet. Die Ätzmuster zeigten Banden, die St...
Orthogonale Experimente zum Wachstum von GaSb-Filmen GaAs-Substrat wurden mit einem Niederdruck-Metall-Organisch-Gasphasenabscheidungssystem (LP-MOCVD) entwickelt und durchgeführt. Die Kristallinitäten und Mikrostrukturen der erzeugten Filme wurden vergleichend analysiert, um optimale Wachstumsparameter zu erreichen. Es wurde gezeigt, dass der optimierte GaSb-Dünnfilm am halben Maximum (358 Bogens...
Die jüngsten Fortschritte beim Wachstum epitaxialer SiC-Filme auf Si werden im Überblick dargestellt. Die grundlegenden klassischen Methoden, die derzeit für das Wachstum von SiC-Schichten verwendet werden, werden diskutiert und ihre Vor- und Nachteile werden untersucht. Die Grundidee und der theoretische Hintergrund für ein neues Verfahren zur Synthese epitaktischer SiC-Schichtenauf Si gegeben si...
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