die Dichte und Lichtstreuintensität von Sauerstoff präzipitiert in cz Silizium Kristalle werden durch IR-Lichtstreutomographie gemessen. Die durch die Messungen geklärten numerischen Daten werden in Bezug auf die Menge an ausgefälltem Sauerstoff diskutiert. Die hier erhaltenen Ergebnisse stimmen gut mit der theoretischen Analyse überein, dass Sauerstoffpräzipitate Licht streuen. Die durch ir-Licht...
Um Hochleistungs-Siliziumkarbid zu realisieren ( SiC ) Leistungsgeräte, niederohmige ohmsche Kontakte zu p-SiC müssen entwickelt werden. Um den ohmschen Kontaktwiderstand zu reduzieren, ist eine Verringerung der Barrierenhöhe an Metall / SiC-Grenzflächen oder eine Erhöhung der Dotierungskonzentration in den SiC-Substraten erforderlich. Da die Verringerung der Barrierenhöhe extrem schwierig ist, ni...
In dieser Arbeit untersuchen wir unter Verwendung eines vollständig gekoppelten dreidimensionalen elektrothermischen Vorrichtungssimulators den Mechanismus der Effizienzverschlechterung bei Hochstrombetrieb in planar G ein Leuchtdioden auf N-Basis (LED). Insbesondere wurde die Verbesserung der Effizienzverschlechterung unter Verwendung von dickeren leitfähigen GaN-Substraten demonstriert. Zunächst...