Obwohl das epitaxiale Wachstum von Si-Filmen auf beiden Oberflächen des Siliziumwafers (epi-Si/Si-Wafer/epi-Si) in der Gießerei realisiert werden kann, indem bestimmte Mengen an Siliziumwafern in einem Boot in einer kommerziellen spezialisierten chemischen Gasphasenabscheidungsanlage montiert werden ( s-CVD), für sein Gegenstück epi-SiC/Si-Wafer/epi-SiC, wird es weder leicht in s-CVD realisiert, noch wird es leicht in einer herkömmlichen chemischen Gasphasenabscheidungsanlage (c-CVD), die allgemein verwendet wird, erreicht für das Wachstum von 3C-SiC auf einer einzelnen Oberfläche von Siliziumwafern (Epi- SiC/Si-Wafer). Da das Wachstum von Epi-SiC/Si-Wafer/Epi-SiC in einem Durchlauf effizienter ist und erwartet wird, haben wir in dieser Arbeit eine einfache Methode für das Wachstum von Epi-SiC/Si-Wafer/Epi-SiC demonstriert c-CVD. Der Si-Wafer wurde doppelseitig poliert und in einem Hängemodus auf dem Suszeptor in der c-CVD-Kammer montiert. Es wurde festgestellt, dass homogene 3C-SiC(100)-Filme gleichzeitig heteroepitaxial auf beiden Oberflächen des suspendierten Si(100)-Wafers aufgewachsen wurden. Die strukturellen und elektrischen Eigenschaften der erhaltenen 3C-SiC-Filme auf beiden Oberflächen wurden mittels SEM-, XRD-, Raman- und JV-Messungen untersucht. Die Ergebnisse zeigten, dass jeder Film gleichmäßig und kontinuierlich war, mit dem gleichen Trend einer leichten Verschlechterung vom inneren zum äußeren Bereich des Wafers. Dies zeigte einen möglichen Weg zur Massenproduktion von 3C-SiC-Filmen hoher Qualität auf Si-Wafern aufin einem Durchlauf in c-CVD für potenzielle Anwendungen wie Sensoren, mit einem Arbeitsprinzip basierend auf der Spannungsabfalldifferenz von zwei Back-to-Back-Dioden auf Epi-SiC/Si-Wafer/Epi-SiC oder Graphenwachstum von Epi- SiC/Si-Wafer/Epi-SiC-Schablonen.

Quelle: IOPscience

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