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x-fab und exagan produzieren erfolgreich erste Gan-on-Silicon-Bauelemente auf 200-mm-Wafern

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x-fab und exagan produzieren erfolgreich erste Gan-on-Silicon-Bauelemente auf 200-mm-Wafern

2017-06-11

x-fab silicon gießereien und exagan, ein innovativer innovator der gallium-nitrid (gan) -halbleitertechnologie, der kleinere und effizientere elektrische konverter ermöglicht, haben die massenproduktion zur herstellung hocheffizienter hochspannungsleistungsgeräte auf 200-mm-gan demonstriert -on-silicon-wafer mit der standard-cmos-produktionsanlage von x-fab in dresden, deutschland. Diese Leistung ist das Ergebnis einer 2015 in Kraft getretenen Entwicklungsvereinbarung, die Kosten- / Leistungsvorteile ermöglicht, die mit kleineren Wafern nicht erreicht werden konnten.


(Bild: x-fab silicon giessereien)


exagan und x-fab haben erfolgreich viele der Herausforderungen gelöst, die mit Materialbeanspruchung, Fehlerhaftigkeit und Prozessintegration verbunden sind, während Standardfertigungsausrüstung und Prozessrezepte verwendet werden. In Verbindung mit der Verwendung von 200-mm-Wafern werden dadurch die Kosten für die Massenproduktion von Gan-Silizium-Bauelementen erheblich gesenkt. Durch die Ermöglichung einer größeren Leistungsintegration als bei Silicium-ICs können Gan-Vorrichtungen die Effizienz verbessern und die Kosten von elektrischen Konvertern senken, was ihre Anwendung in Anwendungen wie Ladestationen für elektrische Fahrzeuge, Server, Automobile und industrielle Systeme beschleunigen wird.



(Bild: Exagan)


Die neuen Gan-on-silicon-Geräte wurden mit Substraten hergestellt, die in der 200-mm-epi-Produktionsanlage von exagan in Grenoble, Frankreich, hergestellt wurden. Diese Epi-Wafer erfüllen die physikalischen und elektrischen Spezifikationen zur Herstellung der 650-Volt-G-FET ™ -Geräte von exagan sowie die strengen Anforderungen für die Kompatibilität mit CMOS-Fertigungslinien.


Die bisherige Arbeit der Industrie mit Gan war aufgrund der Herausforderungen beim Schichten von Gan-Filmen auf Siliziumsubstraten auf 100-mm- und 150-mm-Wafer beschränkt. Die g-stack ™ -Technologie von exagan ermöglicht die kostengünstige Herstellung von Gan-on-Silizium-Bauelementen auf 200-mm-Substraten durch Abscheidung eines einzigartigen Stapels von Gan und Dehnungsmanagementschichten, die die Spannungen zwischen Gan und Siliziumschichten verringern. Es wurde gezeigt, dass die resultierenden Vorrichtungen eine hohe Durchbruchspannung, einen geringen vertikalen Leckstrom und einen Betrieb bei hoher Temperatur aufweisen.


\"Dies ist ein wichtiger Meilenstein in unserer Unternehmensentwicklung, da wir die Produktentwicklung und -qualifizierung beschleunigen\", sagte Frédéric Dupont, Präsident und CEO von exagan. \"Es zeigt die kombinierten Stärken unseres Epi-Materials, des Wafer-Fab-Prozesses von x-fab und unserer Möglichkeiten für das Gerätedesign. Es bestätigt auch den Erfolg unseres vertikal integrierten fab-lite-Modells mit der Expertise von Materialien bis hin zu Geräten und Anwendungen. Es ist ein perfektes Timing, um die gan-Technologie und -Produkte auf der wettbewerbsfähigsten 200-mm-Plattform zu etablieren, während gan-Power-Produkte in den Märkten für Server, Unterhaltungselektronik und Automobilbau breite Akzeptanz finden. \"


\"Wir haben großes Vertrauen in die Führungsposition von exagan und die Roadmap für die Produktleistung\", sagte rudi de winter, CEO von x-fab. \"Durch diese produktive Partnerschaft nutzt x-fab seine Ressourcen und sein Know-how, um die Technologie von exagan in die Fertigung zu integrieren und den Stromumwandlungsmarkt mit einer zuverlässigen Lieferkette zu versorgen.\"


Auf der Messe pcim europe vom 16. bis 18. Mai in Nürnberg präsentiert exagan seine innovative gan-Technologie und g-fet-Transistoren auf Stand Nr. 9-230.


Schlagworte: x-fab, exagan, ganos auf wafer,


Quelle: ledinside


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