abstrakt
Die Nanotopographie ist ein Teil der gesamten Siliziumwafer-Oberflächentopographie und kann die Ausbeute in gegenwärtigen Chipherstellungsverfahren (wie CMP) beeinflussen. Techniken, die Lasertriangulation und hochpräzise Abtaststufen kombinieren, sind nun in der Lage, Planheitsabweichungen im Nanometerbereich auf der gesamten Waferoberfläche zu detektieren. zusätzlich wird eine Spektralanalyse der Rohhöhendaten (z. B. Leistungsspektraldichteberechnung) angewendet, um die Nanotopographie polierter Wafer nach dem Stand der Technik über einen breiten Bereich der räumlichen Wellenlängen zu quantifizieren.
Schlüsselwörter: Welligkeit, Oberflächeninspektion, Oberflächenrauhigkeit, Geometriemessungen, PSD,
Quelle: sciencedirect
Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net ,
Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
Kontakt Informationen
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
