In dieser Arbeit werden die elektrischen Eigenschaften von Au / p-CdZnTe-Kontakten mit verschiedenen Oberflächenbehandlungen, insbesondere Passivierungsbehandlungen, untersucht. Nach der Passivierung a TeO2-Oxidschicht mit einer Dicke von 3,1 nm auf der CdZnTe Die Oberfläche wurde durch XPS-Analyse identifiziert.
Inzwischen bestätigten Photolumineszenz- (PL) -Spektren, dass die Passivierungsbehandlung die Dichte des Oberflächenfallenzustandes minimierte und die mit Rekombination von Cd-Leerstellen verbundenen Defekte im tiefen Bereich verringerte. Die Strom-Spannungs-und Kapazitäts-Spannungs-Charakteristiken wurden gemessen. Es wurde gezeigt, dass die Passivierungsbehandlung die Barrierehöhe des Au / p-CdZnTe-Kontakts erhöhen und den Leckstrom verringern kann.
Quelle: Iopscience
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