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  • gan on silicon

    freistehendes gan-Substrat

    pam-xiamen hat die Herstellungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid) gan Substratwafer, die für uhb-led und ld ist, etabliert. gewachsen durch Hydriddampfphasenepitaxie (Hvpe) -Technologie, hat unser Gansubstrat eine geringe Defektdichte.

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  • sic crystal

    sic Substrat

    pam-xiamen bietet Halbleiter Siliziumkarbid Wafer, 6h sic und 4h sic in verschiedenen Qualitäten für den Forscher und Industriehersteller. wir haben sic Kristallwachstumstechnologie und sic Kristallwafer-Verarbeitungstechnologie entwickelt, etablierte eine produktionslinie zu hersteller sic substrat, die in gan epitaxie gerät, power geräte, Hochtemperaturgerät und optoelektronische Geräte. als ein professionelles Unternehmen investiert von den führenden Herstellern aus den Bereichen Advanced und High-Tech-Materialforschung und staatliche Institute und China's Halbleiter-Labor, wir widmen uns kontinuierlich Verbesserung der Qualität von derzeit vorhandenen Substraten und Entwicklung von großformatigen Substraten.

    Hot Tags : 4h sic 6h sic sic Wafer Siliziumkarbid-Wafer Siliziumkarbidsubstrat sic wafer Preis

  • sic crystal

    sic Epitaxie

    Für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Bauelementen bieten wir kundenspezifische Dünnfilm-Silizium-Epitaxie auf 6h- oder 4h-Substraten an. sic epi wafer wird hauptsächlich für Schottky-Dioden, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, bipolare Sperrschichttransistoren, Thyristoren, GTO und Bipolar mit isoliertem Gate verwendet.

    Hot Tags : sic Epitaxie Epitaxieabscheidung Epitaxiewafer Siliziumkarbid sic-Diode

  • sic wafer

    sic Anwendung

    Aufgrund der physikalischen und elektronischen Eigenschaften von Silizium eignen sich Geräte auf Siliziumkarbid-Basis gut für optoelektronische, hochtemperatur-, strahlungsresistente und hochleistungsfähige Hochfrequenz-Geräte mit kurzer Wellenlänge, verglichen mit Geräten auf Si und GaAs-Basis.

    Hot Tags : sic Anwendung Wafer-Chip Wafer-Ätzen Siliciumcarbid-Eigenschaften Siliziumkarbid-Mosfet

  • GaAs crystal

    GaAs (Galliumarsenid) -Wafer

    pwam entwickelt und fertigt Verbundhalbleitersubstrate - Galliumarsenidkristall und -wafer. Wir haben fortschrittliche Kristallzüchtungstechnologie, vertikales Gradientenfrosten (vgf) und Gaas-Wafer-Bearbeitungstechnologie verwendet, eine Produktionslinie vom Kristallwachstum, Schneiden, Schleifen bis zur Polierbearbeitung etabliert und gebaut ein Reinraum der 100 Klasse für die Reinigung und Verpackung von Wafern. Unsere GaAs Wafer enthalten 2 ~ 6 Zoll Barren / Wafers für LED, LD und Microelectronics Anwendungen. Wir sind immer auf die Verbesserung der Qualität von derzeit substates und die Entwicklung von großen Substraten gewidmet.

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  • Germanium substrate

    Ge (Germanium) -Einkristalle und -Wafer

    pam bietet Halbleitermaterialien, Einkristall (ge) Germaniumwafer, die von vgf / lec gezüchtet werden

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  • CZT

    cdznte (czt) Wafer

    Cadmium-Zink-Tellurid (cdznte oder czt) ist ein neuer Halbleiter, der es ermöglicht, Strahlung effektiv in Elektronen umzuwandeln, hauptsächlich in Infrarot-Dünnschicht-Epitaxiesubstraten, Röntgendetektoren und Gammastrahlendetektoren, laseroptische Leistungs-Solarzellen und andere High-Tech-Bereiche.

    Hot Tags : cdznte czt-Detektor Gammastrahlendetektoren CDT czt Strahlungsdetektor cdznte Substrat

  • Silicon Wafer

    monokristallines Float-Zone-Silizium

    fz-Silizium das monokristalline Silizium mit den Eigenschaften eines niedrigen Fremdstoffgehalts, einer geringen Defektdichte und einer perfekten Kristallstruktur wird mit dem Float-Zone-Verfahren hergestellt; während des Kristallwachstums wird kein Fremdmaterial eingeführt. die fz-Silizium-Leitfähigkeit liegt üblicherweise über 1000 Ω-cm, und das fz-Silizium wird hauptsächlich verwendet, um die Elemente hoher Spannung und photoelektronische Bauelemente zu erzeugen.

    Hot Tags : Schwimmzone fz Silizium Fließzonenprozess Silizium-Ingot Silizium-Wafer Silizium-Ingot-Hersteller

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