Was wir bieten:

sic Wafer

sic Kristall werden in Scheiben geschnitten und polieren, der sic Wafer kommt. für Spezifikation und Details, besuchen Sie bitte: Spezifikation von sic Wafer

sic Kristallwachstum

Das Bulk-Kristallwachstum ist die Technik für die Herstellung einkristalliner Substrate und bildet die Basis für die weitere Prozessierung von Vorrichtungen. Um einen Durchbruch in der Sic-Technologie zu erreichen, müssen wir natürlich ein Substrat mit reproduzierbarem Prozess herstellen Graphittiegel bei hohen Temperaturen bis 2100-2500 ° C. Die Betriebstemperatur im Tiegel wird entweder durch induktive (RF) oder Widerstandsheizung bereitgestellt. Das Wachstum erfolgt auf dünnen Samen. die Quelle stellt eine polykristalline sic-Pulverladung dar. der Sic-Dampf in der Wachstumskammer besteht hauptsächlich aus drei Spezies, nämlich si, si2c und sic2, die mit Trägergas, beispielsweise Argon, verdünnt sind. Die sic-Quellenevolution umfasst sowohl die zeitliche Variation der Porosität und des Korndurchmessers als auch die Graphitisierung der Pulverkörnchen.

sic epi wafer

sic Kristallstruktur

sic Kristall hat viele verschiedene Kristallstrukturen, die Polytypen genannt werden. die allgemeinsten Polytypen von sic, die zur Zeit für die Elektronik entwickelt werden, sind der kubische 3c-sic, der hexagonale 4h-sic und 6h-sic, und der rhomboedrische 15r-sic. Diese Polytypen zeichnen sich durch die Stapelreihenfolge der Biotauchschichten der sic-Struktur aus. Für weitere Details klicken Sie bitte sic Kristallstruktur

Einkristall-Eigenschaften

hier vergleichen wir Eigenschaft von Siliziumkarbid, einschließlich sechseckiger sic, kubischer sic, Einkristall sic.for mehr Details, klicken Sie bitte: sic Eigenschaften

sic Kristalldefekte

die meisten der Defekte, die in Sic beobachtet wurden, wurden auch in anderen kristallinen Materialien beobachtet. wie die Versetzungen, Stapelfehler (sfs), niedrige Winkelgrenzen (Labs) und Zwillinge. einige andere erscheinen in Materialien mit der Zing-Blend- oder Wurtzit-Struktur, wie die Idbs. Mikrorohre und Einschlüsse aus anderen Phasen treten hauptsächlich in sic auf.

sic Kristallanwendung

Viele Forscher kennen die allgemeine sic-Anwendung: iii-v-Nitrid-Abscheidung, optoelektronische Geräte, High-Power-Geräte, Hochtemperatur-Geräte, Hochfrequenz-Geräte.aber nur wenige Menschen kennt Detailanwendungen, wir listen einige Detail-Anwendung und einige Erklärungen, klicken Sie bitte unten : Detailanwendung von Siliziumcarbid