Alinn / gan-Heterostrukturen mit Indiumgehalten zwischen 20% und 35% wurden durch metallorganische Dampfphasenepitaxie auf hochreinen Silizium (1 1 1) -Substraten gezüchtet. Die Proben wurden mittels Photospannung (pv) spektroskopisch untersucht, wobei die einzelnen Schichten durch unterschiedliche Absorptionskanten unterschieden wurden.

die nahen Bandkantenübergänge vonGanund von si zeigen die Existenz von Raumladungsbereichen innerhalb der Gan-Schichten und des Si-Substrats. in Sandwich-Geometrie beeinflusst das Si-Substrat signifikant die PV-Spektren, die durch zusätzliche 690-nm-Laserlichtbeleuchtung stark abgeschreckt werden. die Intensitätsabhängigkeit und das Sättigungsverhalten des Quenchens legen ein Aufladen von si- und gan-verwandten Grenzflächendefekten nahe, was zu einem Kollaps der entsprechenden pv-Signale in der Raumladungszone führt.

Englisch: darwin.bth.rwth-aachen.de/opus3/fro...us = 843 & la = de Aus weiteren Messungen der Scanning - Oberflachenpotentialmikroskopie in der Fasenkonfiguration ergab sich ein weiterer Hinweis auf die Existenz verschiedener Raumladungsregionen im Bereich dergan / aln / siund Alinn / Gan-Schnittstellen erhalten.

Die Eigenschaften der Si / Keimschicht / Gan-Heterostruktur werden in Form einer p-Typ-si / n-Typ-Gan-Schicht-Grenzfläche diskutiert, die durch Diffusion von Si-Atomen in GaN und von Ga oder Al-Atomen in das Si-Substrat erzeugt wird.

Quelle: Iopscience

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