wir berichten über das Molekularstrahlepitaxie (mbe) Wachstum und die Eigenschaften von Solarzellen. Das Integrieren einer ge-unteren Zelle unter einen gitterangepassten Dreifachverbindungsstapel, der durch mbe gewachsen ist, könnte ultra-hohe Effizienzen ohne metamorphes Wachstum oder Waferbindung ermöglichen. eine diffundierte Verbindung kann jedoch aufgrund des niedrigen Haftkoeffizienten von Molekülen der Gruppe-V nicht ohne weiteres in ge mbe gebildet werden ge Oberflächen. Wir haben daher Ge-Übergänge durch Wachstum von homoepitaktischen N-Ge auf P-Ge-Wafern innerhalb eines Standard-III-V-Mbe-Systems realisiert. Wir haben dann Solarzellen ge fabriziert, wobei die Wachstumstemperatur und das Glühen nach dem Wachstum als Schlüsselfaktoren für die Erzielung einer hohen Effizienz gefunden wurden. Leerlaufspannung und Füllfaktorwerte von ~ 0,175 v und ~ 0,59 ohne eine Fensterschicht wurden erhalten, die beide vergleichbar sind mit diffundiert ge Übergänge, die durch metallorganische Gasphasenepitaxie gebildet werden. Wir demonstrieren auch das Wachstum von GaAs mit hoher Qualität an der ge-Verbindung, wie es für das nachfolgende Wachstum von iii-v-Subzellen erforderlich ist, und dass die Oberflächenpassivierung durch die Gaas-Schicht die Ge-Zellen-Leistung leicht verbessert.

Quelle: Iopscience

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