unpolare a-Ebenen- und m-Ebenen-aln-Schichten wurden auf a-Ebene- und m-Ebene-6h-Substraten durch Niederdruck-Hydrid-Dampfphasenepitaxie (lp-hvpe) aufgewachsen. Die Auswirkungen der Wachstumstemperatur wurden untersucht. Die Ergebnisse zeigten, dass die Oberflächenrauhigkeit durch Erhöhen der Temperatur für sowohl Al-Schichten der a-Ebene als auch der m-Ebene verringert wurde. In-plane morphologische Anisotropie wurde durch Rasterelektronenmikroskopie und Rasterkraftmikroskopie, die verwendet wurde, um die morphologischen und strukturellen Übergänge mit der Temperatur abzubilden. Anisotropie in axialen Röntgenbeugungskurven wurde ebenfalls durch hochauflösende Röntgenbeugung nachgewiesen. verglichen mit der AlN-Schicht der a-Ebene wurde jedoch leicht eine glatte Oberfläche für die AlN-Schicht der m-Ebene mit guter kristalliner Qualität erhalten. Die optimale Temperatur war für die AlN-Schicht der m-Ebene niedriger als für die AlN-Schicht der a-Ebene. Die Spannungseigenschaften von unpolaren Aln-Schichten wurden unter Verwendung von polarisierten Raman-Spektren untersucht. Die Ergebnisse zeigten das Vorhandensein von anisotropen Spannungen in der Ebene innerhalb der epitaxialen unpolaren Aln-Schichten.

Schlüsselwörter

a1. Anisotropie in der Ebene; a1. unpolar; a1. Raman-Spektrum; a3. Hydriddampfphasenepitaxie; b2. a-Ebene und m-Ebene aln; b2. sic Substrat

Quelle: sciencedirect

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