Zuhause / Nachrichten /

Dreidimensionales inp-dhbt auf Sige-Bicmos-Integration mittels benzocyclobutenbasiertem Waferbonden für Millimeterwellenschaltungen

Nachrichten

Dreidimensionales inp-dhbt auf Sige-Bicmos-Integration mittels benzocyclobutenbasiertem Waferbonden für Millimeterwellenschaltungen

2017-09-26

Höhepunkte

• Das Fertigungsschema für heterogene si-in-inp-Schaltungen auf Wafer-Ebene wird beschrieben.

• Genauigkeit der Wafer-zu-Wafer-Ausrichtung besser als 4-8 μm nach dem Bonding.

• Verbindungen mit hervorragender Leistung bis zu 220 GHz demonstriert.

• Palladiumbarriere ist notwendig, wenn eine Technologie auf Al-Basis mit einer auf Gold basierenden Technologie kombiniert wird.


abstrakt

Um von den Materialeigenschaften sowohl von inp-hbt als auch von sige-bicmos-Technologien zu profitieren, haben wir ein dreidimensionales (3d) -Benzocyclobuten (bcb) -basiertes Waferbindungsintegrationsschema verwendet. Es wurde ein monolithischer Wafer-Herstellungsprozess auf Basis der Transfer-Substrat-Technologie entwickelt, der die Realisierung komplexer heterointegrierter Hochfrequenzschaltungen ermöglicht. miniaturisierte vertikale interconnects (Vias) mit geringer einfügungsdämpfung und hervorragenden Breitbandeigenschaften ermöglichen einen nahtlosen Übergang zwischen den inp- und bicmos-teilschaltungen.

grafische Zusammenfassung

Full-size image (33 K)



Schlüsselwörter

Bipolartransistoren mit Heteroübergang; Indiumphosphid; monolithische integrierte Schaltkreise; dreidimensionale integrierte Schaltungen; Wafer-Bonding; Wafer-Integration


Quelle: sciencedirect


Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: www.powerwaywafer.com ,

Senden Sie uns eine E-Mail an sales@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com


kontaktiere uns

wenn Sie ein Angebot oder mehr Informationen über unsere Produkte möchten, lassen Sie uns bitte eine Nachricht, wird Ihnen so schnell wie möglich antworten.