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epitaktisches Wachstum einer geringen Einfädelungsversetzungsdichte insb auf Gaas unter Verwendung von selbstorganisierten periodischen Grenzflächenfehlstellenversetzungen

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epitaktisches Wachstum einer geringen Einfädelungsversetzungsdichte insb auf Gaas unter Verwendung von selbstorganisierten periodischen Grenzflächenfehlstellenversetzungen

2017-12-05

Höhepunkte

• hochwertiges insb wurde auf gaas von mbe mit einer \"pufferfreien\" methode gezüchtet.

• Die Spannungsenergie wird durch Grenzflächenfehlstellenversetzungen, die durch Tem beobachtet werden, verringert.

• Typ und Trennung von Versetzungen entsprechen der theoretischen Vorhersage.

• Insb Film ist 98,9% entspannt und besitzt eine Oberfläche mit einer Rauheit von 1,1 nm.

• Insb-Film zeigt 33.840 cm2 / v s Raumtemperatur Elektronenbeweglichkeit


wir berichten über eine vollständig entspannte Schicht mit geringer Verschraubungsversetzungsdichte, die auf einem GaAs-Substrat unter Verwendung selbstorganisierter periodischer Grenzflächenfehlstellenversetzungen gewachsen ist. Die Innenschicht wurde bei 310ºC durch Molekularstrahlepitaxie gezüchtet. Die AFM-Messung zeigte eine Rauhigkeit des quadratischen Mittelwerts (RMS) von 1,1 nm. ω-2θ-Scan-Ergebnisse aus der Röntgenbeugungsmessung zeigten, dass die Insb-Schicht zu 98,9% entspannt ist. Bilder aus der Transmissionselektronenmikroskop-Messung zeigten eine Fädelversetzungsdichte von 1,38 × 10 8 cm -2. es wurde auch die Bildung einer hochgradig gleichförmigen Anordnung von Fehlanpassungsversetzungen beobachtet, und die Trennung von Versetzungen stimmt mit der theoretischen Berechnung überein. Die Insb-Schicht zeigte eine Elektronenmobilität bei Zimmertemperatur von 33.840 cm 2 / v s.


Schlüsselwörter

dünne Filme; epitaxiales Wachstum; tem; strukturelle; Halbleiter; Gaas-Wafer, In-Wafer


Quelle: sciencedirect


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