Höhepunkte

• Die poröse Gan-Matrize wurde durch elektrochemisches und photoelektrochemisches Ätzverfahren hergestellt.

• Ingan / Gan Leuchtdioden (LED) Struktur wurde auf der geätzten Gan-Vorlage überwuchert.

• überwachsene Gan-Filme und LEDs zeigten eine geringere Belastung und eine geringere Dichte von Oberflächendefekten.

• Die überwucherten LED-Strukturen zeigten eine verbesserte Elektrolumineszenz-Effizienz.

poröse gan-Templates wurden durch kombiniertes elektrochemisches Ätzen (ece) und rückseitiges photoelektrochemisches Ätzen (pece) hergestellt, gefolgt von dem Überwachsen von gan-Filmen und ingan / gan-Mehrfach-Quantum-Well (mqw) -Lichtemitterdioden (LED) -Strukturen. Strukturelle, lumineszierende und elektrische Eigenschaften der Gan- und LED-Strukturen wurden untersucht und mit den Eigenschaften von Strukturen verglichen, die unter den gleichen Bedingungen auf Templates gezüchtet wurden, die keiner Ece-Pece-Behandlung unterzogen wurden. das Überwachsen der LED-Strukturen auf den Ece-Pece-Templates reduzierte die Spannung, das Cracken und die Mikropits, was zu einer erhöhten internen Quanteneffizienz und Lichtextraktionseffizienz führte. diese Lumineszenzverstärkung wurde in überwachsenen Gan-Filmen beobachtet, war jedoch für Ingan / Gan-geführte Strukturen aufgrund der Unterdrückung des piezoelektrischen Polarisationsfeldes in qws ausgeprägter.

Schlüsselwörter

elektrochemisches Ätzen; photoelektrochemisches Ätzen; poröses Gan; Leuchtdioden

Quelle: sciencedirect

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: www.powerwaywafer.com , senden Sie uns eine Email an sales@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .