Höhepunkte

• Die Dicke von Graphen, das auf der Oberfläche gewachsen ist, wurde durch eine Tiefenprofilierung bestimmt.

• Die AES-Tiefenprofilierung verifizierte das Vorhandensein einer Pufferschicht auf sic.

• Das Vorhandensein von ungesättigten Si-Bindungen in der Pufferschicht wurde gezeigt.

• Mit Multipoint-Analyse wurde die Dickenverteilung des Graphens auf dem Wafer bestimmt.

Augerelektronenspektroskopie (aes) Die Tiefenprofilierung wurde zur Bestimmung der Dicke einer Graphenfolie mit makroskopischer Grße, die auf 2 Zoll 6 h-sic (0 \u0026 sub0; \u0026 sub0; 1) durch Sublimationsepitaxie gewachsen war, angewendet. das gemessene Tiefenprofil weicht von der erwarteten exponentiellen Form ab und zeigt das Vorhandensein einer zusätzlichen Pufferschicht an. das gemessene Tiefenprofil wurde mit dem simulierten Profil verglichen, das die Ableitung der Dicken der Graphen- und Pufferschichten und der Si-Konzentration der Pufferschicht ermöglichte. Es wurde gezeigt, dass die graphenartige Pufferschicht etwa 30% ungesättigtes Si enthält. die Tiefenprofilierung wurde an mehreren Punkten (Durchmesser 50 μm) durchgeführt, was den Aufbau einer die Homogenität der Graphenfolie charakterisierenden Dickenverteilung erlaubte.

Schlüsselwörter

Graphen auf Sic; Zusammensetzung der Pufferschicht; Aes Tiefenprofilierung; Graphendicke; Sublimationsepitaxie

Quelle: sciencedirect

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