abstrakt

Wir beschreiben Techniken zum aufeinanderfolgenden Durchführen von Photolithographie und Elektronenstrahllithographie auf demselben Resist-beschichteten Substrat. größere Öffnungen werden in dem Resistfilm durch Photolithographie definiert, während kleinere Öffnungen durch herkömmliche Elektronenstrahllithographie definiert werden. die zwei Prozesse werden nacheinander und ohne einen Zwischen-Naßentwicklungsschritt durchgeführt. Am Ende der zwei Belichtungen wird der Resistfilm einmal entwickelt, um sowohl große als auch kleine Öffnungen freizulegen. Interessanterweise sind diese Techniken sowohl für Positiv- als auch für Negativtonlithographien sowohl mit optischer als auch mit Elektronenstrahlbelichtung anwendbar. Polymethylmethacrylat allein oder in Mischung mit einem photokatalytischen Vernetzungsmittel wird für diesen Zweck verwendet. wir zeigen, dass solche Resists sowohl für Ultraviolett- als auch für Elektronenbestrahlung empfindlich sind. alle vier möglichen Kombinationen, bestehend aus optischen und Elektronenstrahllithografien, im positiven und negativen Ton Modi wurden beschrieben. Demonstrationsgitterstrukturen wurden gezeigt und Prozessbedingungen wurden für alle vier Fälle beschrieben.

Quelle: Iopscience

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