Höhepunkte

• mocvd-Wachstum einer p-gan / i-ingan / n-gan (pin) Solarzelle auf Zno / Saphir-Templates.

• tiefgreifende strukturelle Charakterisierungen, die keine Rückätzung von zno zeigen.

• chemisches Abheben und Wafer-Bonding der Struktur auf Floatglas.

• strukturelle Charakterisierungen des Gerätes auf Glas.

abstrakt

p-gan / i-ingan / n-gan (pin) -Strukturen wurden epitaktisch auf zno-gepufferten c-Saphir-Substraten durch metallorganische Dampfphasenepitaxie unter Verwendung des Industriestandard-Ammoniakvorläufers für Stickstoff gezüchtet. Die Rasterelektronenmikroskopie zeigte kontinuierliche Schichten mit einer glatten Grenzfläche zwischen Gan und Zno und keine Anzeichen von ZnO-Rückätzung. Die energiedispersive Röntgenspektroskopie zeigte einen Peak-Indium-Gehalt von knapp 5 at% in den aktiven Schichten. die Stiftstruktur wurde von dem Saphir abgehoben, indem der Zno-Puffer in einer Säure selektiv weggeätzt und dann direkt auf ein Glassubstrat gebondet wurde. detaillierte hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie und streifende Inzidenz-Röntgenbeugungsuntersuchungen zeigten, dass die strukturelle Qualität der Stiftstrukturen während des Übertragungsprozesses erhalten blieb.

Schlüsselwörter

a1. Charakterisierung; a3. metallorganische Dampfphasenepitaxie; b1. Nitride; b1. Zinkverbindungen; b3. Solarzellen

Quelle: sciencedirect

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