ein mikrobearbeiteter Algan / gan-Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit ( Saum ) auf einem Si-Substrat mit diamantähnlichen Kohlenstoff / Titan (dlc / ti) Wärmeableitschichten wurde untersucht. überlegene Wärmeleitfähigkeit und Wärmeausdehnungskoeffizient ähnlich dem von Gan aktiviert dlc / ti, um die wärme des gan-stroms effektiv durch die si-substrat-via-löcher zu dissipieren. dieser hmt ...
Ein Inas / si-Heteroübergang, der durch ein Nasswaferbondverfahren mit einer Annealingtemperatur von 350 ° C gebildet wurde, wurde mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Es wurde beobachtet, daß in einem Hellfeld-Bild inas und si gleichmäßig in einem 2 μm langen Sichtfeld ohne irgendwelche Hohlräume verbunden waren. ein hochauflösendes tem-Bild zeigte, dass zwischen deni...
Wir haben die Effizienz von photoleitfähigen Antennen (PCAs) unter Verwendung von bei niedriger Temperatur gewachsenem GaAs (LT-GaAs) verbessert. Wir fanden heraus, dass die physikalischen Eigenschaften von photoleitfähigen LT-GaAs-Schichten die Erzeugungs- und Erfassungseigenschaften von Terahertz (THz)-Wellen stark beeinflussen. Bei der THz-Erzeugung sind eine hohe photoangeregte Ladungsträgermo...