In dieser Arbeit untersuchen wir unter Verwendung eines vollständig gekoppelten dreidimensionalen elektrothermischen Vorrichtungssimulators den Mechanismus der Effizienzverschlechterung bei Hochstrombetrieb in planar G ein Leuchtdioden auf N-Basis (LED). Insbesondere wurde die Verbesserung der Effizienzverschlechterung unter Verwendung von dickeren leitfähigen GaN-Substraten demonstriert. Zunächst wird festgestellt, dass die lokale Erwärmung von Joule in dünnen leitfähigen GaN-Substraten die interne Quanteneffizienz (IQE) verschlechtert und den Serienwiderstand erhöht.

Dann haben wir dickere leitfähige GaN-Substrate eingeführt und Verteilungen der Stromdichte und Temperatur innerhalb des Substrats simuliert. Es zeigt sich, dass die maximale Stromdichte im Inneren des GaN-Substrat für ein 100 um dickes Substrat im Vergleich zu einem 5 um dicken Substrat um etwa das Sechsfache. Daher sinkt die maximale Sperrschichttemperatur und dann werden IQE und die Ansteuerspannung verbessert. Die vorliegende Studie beweist, dass dicke GaN-Substrate wirksam sind, um die Eigenschaften von planaren LEDs bei Hochstrombetrieb zu verbessern.

Quelle: IOPscience

Mehr über LED-Epitaxialwafer auf GaN-Basis . China Galliumnitrid geführt , bitte besuchen sie unsere Webseite:semiconductorwafers.net

Senden Sie uns eine E-Mail anangel.ye@powerwaywafer.com oderpowerwaymaterial@gmail.com