eine Graphitdeckschicht wurde bewertet, um die Oberfläche von strukturierten und selektiv implantierten 4-h-epitaxialen Wafern während des Postimplantationstemperns zu schützen. az-5214e-Photoresist wurde im Vakuum bei Temperaturen im Bereich von 750 bis 850ºC versponnen und gebacken, um eine kontinuierliche Beschichtung auf sowohl planaren als auch mesa-geätzten Oberflächen mit Merkmalen von bis ...
pam-xiamen produziert qualitativ hochwertige Gallium-Antimonid (Gas) Einkristall-Ingots. Wir runden auch runde, gesägte, geschnittene und polierte Gaswafer ab und liefern eine epi-ready Oberflächenqualität. Gaskristall ist eine Verbindung, die durch 6n reines ga- und sb-Element gebildet wird und durch Flüssig-Einkapselte-Czochralski (lec) -Verfahren mit epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Gaskristall hat e...
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, ein führender Anbieter von Epi-Service für Gaas-basierte Laser-Wafer-Wachstum und andere damit zusammenhängende Produkte und Dienstleistungen kündigte die neue Verfügbarkeit der Größe 3 \"ist in der Massenproduktion im Jahr 2017. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Neben Pam-Xiamen Die Produktlinie. DR. shaka, sagte, \"wir freuen uns, Quantentopfl...
Wir stellen einen neuartigen Prozess zur Integration vor Germanium mit Silizium-auf-Isolator (soi) Wafern. Germanium wird in SoI implantiert, das dann oxidiert wird, wobei das Germanium zwischen den zwei Oxidschichten (dem gewachsenen Oxid und dem vergrabenen Oxid) eingeschlossen wird. unter sorgfältiger Kontrolle der Implantations- und Oxidationsbedingungen erzeugt dieser Prozess eine dünne Schic...
Wir untersuchten die Übergangsenergieniveaus der Leerstellendefekte in Galliumnitrid mittels einer hybriden Dichtefunktionaltheorie (dft). wir zeigen, dass, im Gegensatz zu Vorhersagen aus einer neueren Studie auf der Ebene von rein lokalen dft, der Einschluss von gerasterten Austausch den dreifach positiven Ladungszustand der Stickstoff-Leerstelle für Fermi-Energien nahe dem Valenzband stabilisie...
ein mikrobearbeiteter Algan / gan-Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit ( Saum ) auf einem Si-Substrat mit diamantähnlichen Kohlenstoff / Titan (dlc / ti) Wärmeableitschichten wurde untersucht. überlegene Wärmeleitfähigkeit und Wärmeausdehnungskoeffizient ähnlich dem von Gan aktiviert dlc / ti, um die wärme des gan-stroms effektiv durch die si-substrat-via-löcher zu dissipieren. dieser hmt ...
Direkte Diodenlaser haben einige der attraktivsten Merkmale von allen Laser. Sie sind sehr effizient, kompakt, vielseitig einsetzbar, kostengünstig und sehr zuverlässig. Die volle Nutzung von Direktdiodenlasern muss jedoch noch realisiert werden. die schlechte Qualität von Diodenlaser Strahl selbst, direkt beeinflussen seine Anwendungsbereiche, um eine bessere Verwendung von Diodenlaserstack, benö...
Ein Inas / si-Heteroübergang, der durch ein Nasswaferbondverfahren mit einer Annealingtemperatur von 350 ° C gebildet wurde, wurde mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Es wurde beobachtet, daß in einem Hellfeld-Bild inas und si gleichmäßig in einem 2 μm langen Sichtfeld ohne irgendwelche Hohlräume verbunden waren. ein hochauflösendes tem-Bild zeigte, dass zwischen deni...
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