in den letzten zehn Jahren haben die iii-n-Verbindungen aufgrund ihrer Anwendungen in der blauen, violetten und ultravioletten Optoelektronik viel Interesse geweckt. Die meisten der Geräte und Forschung verwenden Saphir als Substrat für die Epitaxie von Nitriden. Diese Epi-Strukturen enthalten jedoch eine sehr hohe Versetzungsdichte, induziert durch die 16% Gitterfehlanpassung zwischen Gan und Sap...
In diesem Artikel betrachten wir die Entwicklung von unpolaren (d. h. m-plane und a-plane) und semipolaren (d. h. (20.1) plane) Wafern mittels Ammonothermal-Verfahren. Die Wachstumsverfahren und Polierergebnisse werden beschrieben. Es ist uns gelungen, nicht- und halbpolare Wafer mit 26 mm × 26 mm herzustellen. diese Wafer besitzen hervorragende strukturelle und optische Eigenschaften mit einer Di...
Wir untersuchten die Übergangsenergieniveaus der Leerstellendefekte in Galliumnitrid mittels einer hybriden Dichtefunktionaltheorie (dft). wir zeigen, dass, im Gegensatz zu Vorhersagen aus einer neueren Studie auf der Ebene von rein lokalen dft, der Einschluss von gerasterten Austausch den dreifach positiven Ladungszustand der Stickstoff-Leerstelle für Fermi-Energien nahe dem Valenzband stabilisie...
ein mikrobearbeiteter Algan / gan-Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit ( Saum ) auf einem Si-Substrat mit diamantähnlichen Kohlenstoff / Titan (dlc / ti) Wärmeableitschichten wurde untersucht. überlegene Wärmeleitfähigkeit und Wärmeausdehnungskoeffizient ähnlich dem von Gan aktiviert dlc / ti, um die wärme des gan-stroms effektiv durch die si-substrat-via-löcher zu dissipieren. dieser hmt ...
Direkte Diodenlaser haben einige der attraktivsten Merkmale von allen Laser. Sie sind sehr effizient, kompakt, vielseitig einsetzbar, kostengünstig und sehr zuverlässig. Die volle Nutzung von Direktdiodenlasern muss jedoch noch realisiert werden. die schlechte Qualität von Diodenlaser Strahl selbst, direkt beeinflussen seine Anwendungsbereiche, um eine bessere Verwendung von Diodenlaserstack, benö...
der Wachstumszustand von dünn stark mg-dotiert Gan die Deckschicht und ihre Wirkung auf die ohmsche Kontaktbildung von p-Typ-Gan wurden untersucht. Es wird bestätigt, dass die übermäßige mg-Dotierung den ni / au-Kontakt effektiv zu p- Gan nach dem Glühen bei 550 ° C. wenn das Strömungsratenverhältnis zwischen mg- und ga-Gasquellen 6,4% beträgt und die Schichtbreite 25 nm beträgt, weist die bei 850...
Das Entwicklung des SiC- und GaN-Leistungshalbleitermarktes Der aktuelle Stand der SiC - Technologie und des Marktes sowie der Entwicklungstendenz in den nächsten Jahren. Der Markt für SiC-Geräte ist vielversprechend. Verkauf von Schottky-Barriere Die Dioden sind ausgereift und es wird erwartet, dass die MOSFET-Lieferungen erheblich zunehmen werden in den nächsten drei Jahren. Laut Yole Développem...
In dieser Arbeit untersuchen wir unter Verwendung eines vollständig gekoppelten dreidimensionalen elektrothermischen Vorrichtungssimulators den Mechanismus der Effizienzverschlechterung bei Hochstrombetrieb in planar G ein Leuchtdioden auf N-Basis (LED). Insbesondere wurde die Verbesserung der Effizienzverschlechterung unter Verwendung von dickeren leitfähigen GaN-Substraten demonstriert. Zunächst...
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