Wir stellen einen neuartigen Prozess zur Integration vor Germanium mit Silizium-auf-Isolator (soi) Wafern. Germanium wird in SoI implantiert, das dann oxidiert wird, wobei das Germanium zwischen den zwei Oxidschichten (dem gewachsenen Oxid und dem vergrabenen Oxid) eingeschlossen wird. unter sorgfältiger Kontrolle der Implantations- und Oxidationsbedingungen erzeugt dieser Prozess eine dünne Schic...
ein mikrobearbeiteter Algan / gan-Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit ( Saum ) auf einem Si-Substrat mit diamantähnlichen Kohlenstoff / Titan (dlc / ti) Wärmeableitschichten wurde untersucht. überlegene Wärmeleitfähigkeit und Wärmeausdehnungskoeffizient ähnlich dem von Gan aktiviert dlc / ti, um die wärme des gan-stroms effektiv durch die si-substrat-via-löcher zu dissipieren. dieser hmt ...
Ein Inas / si-Heteroübergang, der durch ein Nasswaferbondverfahren mit einer Annealingtemperatur von 350 ° C gebildet wurde, wurde mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Es wurde beobachtet, daß in einem Hellfeld-Bild inas und si gleichmäßig in einem 2 μm langen Sichtfeld ohne irgendwelche Hohlräume verbunden waren. ein hochauflösendes tem-Bild zeigte, dass zwischen deni...
Die jüngsten Fortschritte beim Wachstum von epitaktischen Filmen auf Si sind im Überblick. Die grundlegenden klassischen Methoden, die derzeit für das Wachstum von Sic-Filmen verwendet werden, werden diskutiert und ihre Vor- und Nachteile werden untersucht. Die Grundidee und der theoretische Hintergrund für eine neue Methode zur Synthese von epitaktischen Filmen auf Si sind gegeben. Es wird gezeig...
Es ist immer noch eine große Herausforderung für Halbleiter-basierte Geräte, einen großen Magnetowiderstand (MR) -Effekt bei einem niedrigen Magnetfeld bei Raumtemperatur zu erhalten. In dieser Arbeit werden die photoinduzierten mr - Effekte unter verschiedenen Beleuchtungsintensitäten bei Raumtemperatur untersucht halbisolierendes Galliumarsenid ( si-gaas ) auf ag / si-gaas / ag Gerät. die Vorric...
Inas-Segmente wurden auf Gaas-Inseln aufgewachsen, zunächst durch Tröpfchen-Epitaxie auf Siliziumsubstrat erzeugt. Wir haben systematisch den Wachstumsparameterraum für die Inasablagerung untersucht und die Bedingungen für das selektive Wachstum identifiziert Gaas und für rein axiales Wachstum. die axialen Inassegmente wurden mit ihren Seitenwänden um 30 $ ^ {{} ^ circ} $ im Vergleich zu den darun...
die Dichte und Lichtstreuintensität von Sauerstoff präzipitiert in cz Silizium Kristalle werden durch IR-Lichtstreutomographie gemessen. Die durch die Messungen geklärten numerischen Daten werden in Bezug auf die Menge an ausgefälltem Sauerstoff diskutiert. Die hier erhaltenen Ergebnisse stimmen gut mit der theoretischen Analyse überein, dass Sauerstoffpräzipitate Licht streuen. Die durch ir-Licht...
Die Bestrahlung mit Ionenstrahlen wurde als eine Methode zur Erzeugung von nanoskaligen Halbleitersäulen- und -kegelstrukturen untersucht, hat aber den Nachteil einer ungenauen Anordnung von Nanostrukturen. Wir berichten über eine Methode zum Erstellen und Templating von Nanoskalen InAs Spikes durch Bestrahlung mit fokussiertem Ionenstrahl (FIB) sowohl von homoepitaktischen InAs-Filmen als auch vo...
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