Die Bestrahlung mit Ionenstrahlen wurde als eine Methode zur Erzeugung von nanoskaligen Halbleitersäulen- und -kegelstrukturen untersucht, hat aber den Nachteil einer ungenauen Anordnung von Nanostrukturen. Wir berichten über eine Methode zum Erstellen und Templating von Nanoskalen InAs Spikes durch Bestrahlung mit fokussiertem Ionenstrahl (FIB) sowohl von homoepitaktischen InAs-Filmen als auch von heteroepitaktischen InAs auf InP-Substraten. Diese "Nanospikes" werden erzeugt, da In-Tröpfchen, die aufgrund von FIB-Bestrahlung gebildet werden, als Ätzmasken für die darunter liegenden InAs wirken. Durch Vorstrukturierung der InAs zur Beeinflussung der Tröpfchenbewegung können Nanospike-Positionen auf homoepitaxialen InAs mit begrenzter Genauigkeit kontrolliert werden. Die Erzeugung von Nanospikes unter Verwendung einer InAs / InP-Heterostruktur bietet ein zusätzliches Maß für die Kontrolle darüber, wo sich die Spikes bilden, da sich keine Nanospikes auf exponierten Regionen von InP bilden. Dieser Effekt kann ausgenutzt werden, um die Platzierung von Nanospikes durch Vorstrukturierung einer InAs / InP-Heterostruktur zur Steuerung der Position der InAs / InP-Grenzfläche genau zu steuern. Mit dieser Heterostruktur-Templating-Methode ist es möglich, Nanospikes genau in reguläre Arrays zu platzieren, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sein können.

Quelle: IOPscience

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