In diesem Artikel betrachten wir die Entwicklung von unpolaren (d. h. m-plane und a-plane) und semipolaren (d. h. (20.1) plane) Wafern mittels Ammonothermal-Verfahren. Die Wachstumsverfahren und Polierergebnisse werden beschrieben. Es ist uns gelungen, nicht- und halbpolare Wafer mit 26 mm × 26 mm herzustellen. diese Wafer besitzen hervorragende strukturelle und optische Eigenschaften mit einer Dichte der Verschraubungsversetzung in der Größenordnung von 104 cm \u0026 supmin; ³. detaillierte Studien von Homoepitaxieschichten sowie Algannheterostrukturen werden ebenfalls vorgestellt und zeigen das Potenzial von untersuchten ammonothermalen Substraten bei der Herstellung von optoelektronischen Bauelementen.

Quelle: Iopscience

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