in den letzten zehn Jahren haben die iii-n-Verbindungen aufgrund ihrer Anwendungen in der blauen, violetten und ultravioletten Optoelektronik viel Interesse geweckt. Die meisten der Geräte und Forschung verwenden Saphir als Substrat für die Epitaxie von Nitriden. Diese Epi-Strukturen enthalten jedoch eine sehr hohe Versetzungsdichte, induziert durch die 16% Gitterfehlanpassung zwischen Gan und Saphir. In unserem Labor züchten wir Gan-Einkristalle mit einem hohen hydrostatischen Druck von 10 kbar Stickstoff. Diese Kristalle haben eine extrem niedrige Versetzungsdichte und werden erfolgreich zur Konstruktion von violetten Laserdioden verwendet. Diese Arbeit präsentiert experimentelle Daten von hochauflösender Röntgendiffraktometrie und Photolumineszenz. Diese Arbeit besteht aus drei Teilen: (i) Vergleich zwischen Gan-Substraten und Gan / Saphir-Templaten; (ii) Einfluss von Algar Schichten beim Verbeugen von Proben; (iii) Mikrostruktur von Ingan / Gan-Mehrfachquantenquellen .

soource: Iopscience

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