abstrakt
Ein secco-Ätzmittel wird üblicherweise zur Abgrenzung von Strömungsmusterdefekten (fpds) in schwach dotierten czochralski (cz) -Siliziumwafern verwendet. Jedoch können die fpds in stark dotierten p-Typ-Siliziumwafern nicht gut durch ein secco-Ätzmittel abgegrenzt werden. hierin wurde ein Ätzmittel auf der Basis des cro3hfh2o-Systems mit einem optimierten Volumenverhältnis von v (cro3): v (hf) = 2: 3, wobei die Konzentration von cro3 0,25-0,35 m ist, zur Abgrenzung entwickelt von Fpds mit gut definierten Morphologien für die stark mit Bor (b) dotierten p-Typ-Siliziumwafer.
Schlüsselwörter: stark dotiertes p-Typ-Silizium, Strömungsmusterdefekte, Abgrenzung, bevorzugtes Ätzen
Quelle: sciencedirect
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