dank der gaas-tunnel-junction-technologie bieten wir epi-wafer aus single-junction- und dual-junction ingap / gaas-solarzellen mit verschiedenen epitaxieschichten (algaas, ingap), die auf gaas für die solarzellenanwendung gezüchtet werden. jetzt bieten wir ein epi an Waferstruktur mit ingap Tunnelverbindung wie folgt:
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Ar-Beschichtung mgf 2 / Zns |
au |
Front Kontakt |
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au-ge / ni / au |
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n + -Gaas 0,3 um |
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┏ |
n + -alinp 0,03 \u0026 mgr; m \u0026 lt; 2 × 10 18 cm -3 (si) |
Fenster |
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ingap |
n + -ingap 0,05 μm 2,0 × 10 18 cm -3 (si) |
n |
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(zB = 1,88ev) |
p + -ingap 0.55μm 1.5 × 10 17 cm -3 (zn) |
p |
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oberste Zelle |
p + -ingap 0,03 um 2,0 × 10 18 cm -3 (zn) |
p + |
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p + -alinp 0,03 um \u003c 5 × 10 17 cm -3 (zn) |
bsf, diff.barrier |
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Tunnel |
p + -ingap 0.015μm 8.0 × 10 18 cm -3 (zn) |
tn (p + ) |
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Kreuzung |
n + -ingap 0,015 um 1,0 × 10 19 cm -3 (si) |
tn (n + ) |
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┏ |
n + -alap 0,05 um 1,0 × 10 19 cm -3 (si) |
Fenster, Diff.-Sperre |
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gaas (zB = 1.43 ev) untere Zelle |
n + -Gaas 0,1 um 2,0 × 10 18 cm -3 (si) |
n |
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p -gaas 3,0 um 1,0 × 10 17 cm -3 (zn) |
p |
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┗ |
p + -ingap 0.1μm 2.0 × 10 18 cm -3 (zn) |
BSF |
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p + -gaas 0,3 um 7,0 × 10 18 cm -3 (zn) |
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p + -Gas-Substrat \u003c 1,0 × 10 19 cm -3 (zn) |
Substrat |
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au |
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Rückkontakt |
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Hinweis: LEDs, Laser und Mehrfachsolarzellen können Tunnelverbindungen verwenden, um die Leistung zu verbessern. Die Berechnung der Auswirkungen dieser Verbindung ist schwierig, aber es gibt Möglichkeiten, die Chipeigenschaften genau zu simulieren und das Design der Struktur kosteneffizient zu optimieren.
Quelle: halbleiterwafers.net
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