wir können 4 \"gaas mhemte epi wafer (gaas mbe epiwafer) anbieten, sehen Sie bitte unten typische Struktur: n + in0,53ga0,47 als 20nm (n = 1x10 ^ 19 cm ^ -3) n + inp Ätzstopper 5nm (n = 5x10 ^ 18 cm ^ -3) i- in0.52al0.48as Schottky-Barriere 10nm Si-Delta-Dotierung (n = 6x10 ^ 12 cm ^ -2) i- in0.52al0.48als Abstandshalter 4 nm i-in0.53ga0.47als Kanal 15nm in0.52al0.48as Puffer 300nm metamorpher Puffer 300nm (von Substrat zu linear graduiert) in0.53ga0.47as) s.i. Gaas substra te Quelle: halbleiterwafers.net Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com.
Wir können 4 \"Gaas Hemt Epi Wafer anbieten, siehe unten typische Struktur: 1) 4 \"Si Substrat Gaas mit [100] Orientierung, 2) [Puffer] Übergitter von al (0,3) ga (0,7) als / Gaas mit Dicken 10/3 nm, wiederhole 170 mal, 3) Barriere al (0,3) ga (0,7) als 400 nm, 4) Quantenwell Gaas 20 nm, 5) Spacer al (0,3) ga (0,7) als 15 nm, 6) Delta-Dotierung mit Si zur Erzeugung der Elektronendichte 5-6 * 10 ^ 11 cm ^ (- 2), 7) Barriere al (0,3) ga (0,7) wie 180 nm, 8) Deckschicht Gaas 15nm. Quelle: halbleiterwafers.net Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
Algainp führte Chip-Sepcification orange LED-Wafer Substrat: \u0026 emsp; \u0026 emsp; p + Gaas \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; p-Lücke \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; p-algainp \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; mqw \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; n-Algainp \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; dbr n-algaas / ach \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; Puffer \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; Gaas-Substrat \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; ·Chip sepcification (basierend auf 7mil * 7mil Chips) Parameter \u0026 emsp; \u0026 emsp; Chipgröße 7mil (± 1mil) * 7mil (± 1mil) Dicke 7mil (± 1mil) p Elektrode U / l \u0026 emsp; n Elektrode au \u0026 emsp; Struktur sowie rechts gezeigt · Optisch-elektrisch Figuren \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; Parameter Bedingung Mindest. typ max. Einheit Vorwärtsspannung ich f = 10 μA 1.35 ┄ ┄ v umgekehrte Spannung ich f = 20mA ┄ ┄ 2.2 v Rückstrom v = 10 V ┄ ┄ 2 um Wellenlänge ich f = 20mA 565 ┄ 575 nm halbe Wellenbreite ich f = 20mA ┄ 10 ┄ nm ·Lichtintensität Figuren \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; Helligkeitscode la Pfund lc ld le lf lg lh iv (mcd) 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40 40-50 50-60 Quelle: halbleiterwafers.net Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
algainp wird bei der Herstellung von Leuchtdioden mit hoher Helligkeit in roter, orange, grüner und gelber Farbe verwendet, um die Heterostruktur zu bilden, die Licht emittiert. es wird auch verwendet, um Diodenlaser herzustellen. Die Algainp-Schicht wird oft durch Heteroepitaxie auf Galliumarsenid oder Galliumphosphid gezüchtet, um eine Quantentopfstruktur zu bilden. Spezifikationen von Algainp Wafern auf Chips Algainp führte Wafer für Chip Artikelnr .: pam-cayg1101 Maße: Wachstumstechnik - mocvd Substratmaterial: Galliumarsenid Substratleitung: n-Typ Durchmesser: 2 \" ● Chip-Abmessungen: 1) Chipgröße: Frontgröße: 8mil (± 1mil) × 8mil (± 1mil) Rückseite: 9mil (± 1mil) × 9mil (± 1mil) 2) Spandicke: 7mil (± 1mil) 3) Pad Größe: 4mil (± 0,5 mil) 4) Struktur: siehe 1-1 ● photoelektrische Eigenschaften Parameter Bedingung Mindest. typ. max. Einheit Vorwärtsspannung ( vf1 ) wenn = 10 μa 1.35 ﹎ ﹎ v Vorwärtsspannung ( vf2 ) wenn = 20mA ﹎ ﹎ 2.2 v umgekehrte Spannung ( lr ) vr = 10 V ﹎ ﹎ 2 μa Dominant Wellenlänge ( λ d) wenn = 20mA 565 ﹎ 575 nm fwhm ( Δλ ) wenn = 20mA ﹎ 10 ﹎ nm ● Lichtstärke: Code lc ld le lf lg lh li iv (mcd) 20-30 25-35 30-35 35-50 40-60 50-70 60-80 Bandlücke von gespanntem Algainp auf Gaas-Substrat In diesem Tutorial wollen wir die Bandlücken von gespanntem Alxgayin1-x-yp auf einem Gaas-Substrat untersuchen. die Materialparameter sind entnommen Bandparameter für III-V-Verbindungshalbleiter und ihre Legierungen ich. vurgaftman, jr. meyer, lr. Ram-Mohan j. appl. Phys. 89 (11), 5815 (2001) Um die Auswirkung der Dehnung auf die Bandlücke auf die einzelnen Komponenten dieses Quaternärs zu verstehen, untersuchen wir zunächst die Auswirkungen auf 1) alp angespannt dehnbar in Gedenken an Gaas 2) Lücke angespannt dehnbar in Gedenken an Gaas 3) angespannt komprimierend in Gedenken an Gaas 4) al x ga 1-x p angespannt dehnbar in Gedenken an Gaas 5) ga x im 1-x p angespannt in Gedenken an Gaas 6) al x im 1-x p angespannt in Gedenken an Gaas 7) al 0.4 ga 0.6 p angespannt dehnbar in Gedenken an Gaas 8) ga 0.4 im 0.6 p angespannt komprimierend in Gedenken an Gaas 9) al 0.4 im 0.6 p angespannt komprimierend in Gedenken an Gaas Jede Materialschicht hat eine Länge von 10 nm in der Simulation. die Materialschichten 4), 5) und 6) variieren ihren Legierungsgehalt linear: 4) al x ga 1-x p von 10 nm bis 20 nm von x = 0,0 bis x = 1,0 5) ga x im 1-x p von 30 nm bis 40 nm von x = 0,0 bis x = 1,0 6) al x im 1-x p von 50 nm bis 60 nm von x = 1,0 bis x = 0,0 Brechungsindex von Algainp Quelle: pam-Xiamen Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , s Beenden Sie uns per E-Mail an luna@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
wir können 2 \"gaas / algaas / gaas epi wafer anbieten, sehen sie bitte unten typische struktur: Nr Parameter Spezifikationen 1 Gaas-Substrat Schichtdicke 500μm 2 Schicht Dicke 2μm 3 Gaas oberste Schicht Dicke 220 nm 4 Molenbruch von al (x) 0.7 5 Dotierungsniveau intrinsisch Quelle: halbleiterwafers.net Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
wir können 2 \"alinp / gaas epi wafer wie folgt anbieten: 2 \"Alin Epi-Schicht: Epi-Schicht: 1-3 um, Gaas Substrat: 2 \"Größe, Ausrichtung (100) oder (110), n-Typ oder halbisolierend, Dicke: 300-500um, einseitig poliert. Beispiel qe Messung einer Dreifachsolarzelle: Quelle: halbleiterwafers.net Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
wir können 2 \"gainp / inp epi wafer wie folgt anbieten: 2 \"Gainp Epi-Schicht: Dicke: 1um, Ga: In = 1: 1, Epi-Schicht: 1-3um, Inp Substrat: 2 \"Größe, Ausrichtung (100) oder (110), n-Typ oder halbisolierend, Dicke: 300-500um, einseitig poliert. Galliumindiumphosphid (gainp), ist ein Halbleiter aus Indium, Gallium und Phosphor. es wird in der Hochleistungs- und Hochfrequenzelektronik aufgrund seiner überlegenen Elektronengeschwindigkeit in Bezug auf die üblicheren Halbleiter Silizium und Galliumarsenid verwendet. es wird hauptsächlich in der hmt-Struktur, hbt-Strukturen oder mesfet-Struktur verwendet, einem epitaktischen Material mit hohem Bandlückengewinn, das auf Inp aufgewachsen ist, um die Schottky-Barrierenhöhe des Inp-Mesfets mit den Schottky-Gate-Materialien (au und pt2si) zu erhöhen: die pseudomorphe Verstärkung pp / inp Mesfet mit einem au-Gate hat eine Schottky-Barrierenhöhe von 0,54 eV, und der Sperr-Leckstrom der Vorrichtung ist 10 -2-mal niedriger als der des herkömmlichen Inp-Mesfets. die extrinsische und intrinsische Transkonduktanz des pseudomorphen Mesfets beträgt 66,7 bzw. 104,2 ms / mm für das gainp / inp-Mesfet mit 5 \u0026 mgr; m Gatelänge gainp wird auch für die Herstellung von hocheffizienten Solarzellen für Weltraumanwendungen verwendet. ga0.5in0.5p wird als hochenergetische Verbindung für photovoltaische Zellen mit doppeltem und dreifachem Übergang auf Gaas verwendet. In den letzten Jahren wurden gainp / gaas-Tandemsolarzellen mit Wirkungsgraden von am0 (Sonnenlichteinfall im Raum = 1,35 kW / m2) von mehr als 25% nachgewiesen. Eine andere Legierung von Gainp, Gitter angepasst an die zugrunde liegenden Gainas, wird als Hochenergieübergang Gainp / Gainas / ge Triple-Junction-Photovoltaik-Zellen.in Kombination mit Aluminium (Algainp-Legierung) verwendet, um hohe Helligkeit LEDs mit orange-rot, orange, gelbe und grüne Farben. Quelle: halbleiterwafers.net Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
wir betreiben gainp / gaas / ge triple-junction-zellen, die mit einer mocvd-technik hergestellt werden und aus hochwertigen iii-v-verbindungsmaterialien bestehen, die eine deutlich höhere effizienz bieten. Im Vergleich zu herkömmlichen Solarzellen sind Mehrfachsolarzellen effizienter, aber auch teurer in der Herstellung. Triple-Junction-Zellen sind kostengünstiger. Sie werden in Weltraumanwendungen verwendet. und jetzt bieten wir eine Epi-Waferstruktur wie folgt an Schicht Material Molenbruch (x) Molenbruch (y) Dicke (um) Art Lebenslauf (cm -3 ) 15 Gewinn (x) als 0,016 \u0026 emsp; 0.2 n \u0026 gt; 5.00e18 14 al (x) inp \u0026 emsp; \u0026 emsp; 0,04 n 5.00e + 17 13 Gewinn (x) p \u0026 emsp; \u0026 emsp; 0.1 n 2.00e + 18 12 Gewinn (x) p \u0026 emsp; \u0026 emsp; 0.5 p \u0026 emsp; 11 alin (x) p \u0026 emsp; \u0026 emsp; 0.1 p \u0026 emsp; 10 al (x) gaas \u0026 emsp; \u0026 emsp; 0,015 p \u0026 emsp; 9 Gaas \u0026 emsp; \u0026 emsp; 0,015 n \u0026 emsp; 8 Gewinn (x) p 0,554 \u0026 emsp; 0.1 n \u0026 emsp; 7 Gewinn (x) als 0,016 \u0026 emsp; 0.1 n \u0026 emsp; 6 Gewinn (x) als 0,016 \u0026 emsp; 3 p 1-2e17 5 Gewinn (x) p 0,554 \u0026 emsp; 0.1 p 1-2e18 4 al (x) gaas 0.4 \u0026 emsp; 0,03 p 5.00e + 19 3 Gaas \u0026 emsp; \u0026 emsp; 0,03 n 2.00e + 19 2 Gewinn (x) als 0,016 \u0026 emsp; 0.5 n 2.00e + 18 1 Gewinn (x) p 0,554 \u0026 emsp; 0,06 n \u0026 emsp; wir bieten auch epi-wafer aus single-junction und dual-junction ingap / gaas-solarzellen mit verschiedenen epitaxieschichten (algaas, ingap) auf gaas für die anwendung von solarzellen an, bitte klicken sie auf algap / gaas epi wafer für solarzelle Quelle: halbleiterwafers.net Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an luna@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
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