Siliciumcarbidmaterialien wandeln sich derzeit von Forschung und Entwicklung zu einem marktorientierten Herstellungsprodukt. sic Substrate werden derzeit als Basis für einen großen Teil der weltweiten Produktion von grünen, blauen und ultravioletten Leuchtdioden (LEDs) verwendet. Emerging Markets für sic homoepitaxy umfassen Hochleistungs-Schaltgeräte und Mikrowellengeräte für s- und x-Band. Anwendungen für heteroepitaxiale Gan-basierte Strukturen auf Substraten umfassen LEDs und Mikrowellengeräte. Diese aufregenden Geräteergebnisse stammen in erster Linie aus der Nutzung der einzigartigen elektrischen und thermophysikalischen Eigenschaften, die sic im Vergleich zu si und Gaas bietet. unter diesen sind: eine große Bandlücke für Hochtemperaturbetrieb und Strahlungsbeständigkeit; hohes kritisches Durchbruchsfeld für hohe Ausgangsleistung; hohe gesättigte Elektronengeschwindigkeit für Hochfrequenzbetrieb; deutlich höhere Wärmeleitfähigkeit für das thermische Management von Hochleistungsgeräten.
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