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2-23. Mikropipedichte

2. Definition der dimensionalen Eigenschaften, Terminologie und Methoden von Siliciumcarbidwafern

2-23. Mikropipedichte

2018-01-08

ein Mikrorohr, das auch als \"Mikropore\", \"Mikroröhrchen\", \"Kapillardefekt\" oder \"Nadellochdefekt\" bezeichnet wird, ist ein kristallographischer Defekt in einem Einkristallsubstrat. Es ist ein wichtiger Parameter für Hersteller von Siliciumcarbidsubstraten, die werden in einer Vielzahl von Industrien wie Leistungshalbleitervorrichtungen für Fahrzeuge und Hochfrequenzkommunikationsvorrichtungen verwendet.


während der Herstellung dieser Materialien unterliegt der Kristall jedoch inneren und äußeren Spannungen, die das Wachstum von Defekten oder Versetzungen innerhalb des Atomgitters verursachen.


Eine Schraubenversetzung ist eine häufige Dislokation, die aufeinanderfolgende Atomebenen innerhalb eines Kristallgitters in die Form einer Helix transformiert. Sobald sich eine Schraubenversetzung während des Waferwachstumsprozesses durch die Masse einer Probe ausbreitet, wird eine Mikroleitung gebildet. das Vorhandensein einer hohen Dichte von Mikroröhrchen innerhalb eines Wafers führt zu einem Ausbeuteverlust bei dem Vorrichtungsherstellungsprozeß.


Mikropipes und Schraubenversetzungen in epitaktischen Schichten werden normalerweise von den Substraten abgeleitet, auf denen die Epitaxie durchgeführt wird. Mikrorohre werden als Leerzylinder-Schraubenversetzungen mit großer Spannungsenergie angesehen (d. h. sie haben einen großen Burger-Vektor); Sie folgen der Wachstumsrichtung (c-Achse) in Siliziumcarbid-Boules und Substraten, die sich in die abgeschiedenen Epitaxieschichten ausbreiten.


Faktoren, die die Bildung von Mikroröhrchen (und anderen Defekten) beeinflussen, sind solche Wachstumsparameter wie Temperatur, Übersättigung, Dampfphasenstöchiometrie, Verunreinigungen und die Polarität der Impfkristalloberfläche.


Die Mikroleitchendichte (mpd) ist ein entscheidender Parameter für Siliciumcarbid (s) -Substrate, der die Qualität, Stabilität und Ausbeute der auf diesen Substraten aufgebauten Halbleitervorrichtungen bestimmt. Die Bedeutung von mpd wird dadurch unterstrichen, dass alle bestehenden Spezifikationen für 6h- und 4h-Substrate Obergrenzen setzen.

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