Ein Inas / si-Heteroübergang, der durch ein Nasswaferbondverfahren mit einer Annealingtemperatur von 350 ° C gebildet wurde, wurde mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Es wurde beobachtet, daß in einem Hellfeld-Bild inas und si gleichmäßig in einem 2 μm langen Sichtfeld ohne irgendwelche Hohlräume verbunden waren. ein hochauflösendes tem-Bild zeigte, dass zwischen deninasund Si-Gitterbilder gab es eine Übergangsschicht mit einer amorphartigen Struktur mit einer Dicke von 10-12 nm, die die Aufgabe hatte, die beiden Kristalle atomar zu verbinden. die Übergangsschicht wurde in zwei Schichten unterschiedlicher Helligkeit in einem ringförmigen Dunkelfeld-Rasterbild mit großem Winkel getrennt. die Verteilungen von in, als,Siund o Atome in der Nähe der Heterogrenzfläche wurden durch energiedispersive Röntgenspektroskopie untersucht. Die Mengen an In, As und Si-Atomen veränderten sich allmählich innerhalb einer 20 nm dicken Zwischenschicht einschließlich der Übergangsschicht. akkumulierte o-Atome wurden in der Übergangsschicht nachgewiesen.

Quelle: Iopscience

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