Es ist immer noch eine große Herausforderung für Halbleiter-basierte Geräte, einen großen Magnetowiderstand (MR) -Effekt bei einem niedrigen Magnetfeld bei Raumtemperatur zu erhalten. In dieser Arbeit werden die photoinduzierten mr - Effekte unter verschiedenen Beleuchtungsintensitäten bei Raumtemperatur untersucht halbisolierendes Galliumarsenid ( si-gaas ) auf ag / si-gaas / ag Gerät. die Vorric...
der Prozess zur Verringerung der Versetzungsdichte in 3-Zoll-Fe-dotiert Inp-Wafer wird beschrieben. Der Kristallwachstumsprozess ist ein konventioneller flüssigkeitsverkapselter Czochralsky (lec), jedoch wurden thermische Abschirmungen hinzugefügt, um den thermischen Gradienten im wachsenden Kristall zu verringern. Die Form dieser Schilde wurde mit Hilfe numerischer Simulationen von Wärmeübertragu...
Dieses Papier schlägt eine neue dreidimensionale (3d) Photolithographie Technologie für einen hochauflösenden Mikrostrukturierungsprozess auf einem Fasersubstrat. Ein kurzer Überblick über die Lithographie-Technologie der nicht-planaren Oberfläche wird ebenfalls vorgestellt. Die vorgeschlagene Technologie umfasst hauptsächlich die Mikrofabrikation des 3D-Belichtungsmoduls und die Sprühabscheidung ...
die Dichte und Lichtstreuintensität von Sauerstoff präzipitiert in cz Silizium Kristalle werden durch IR-Lichtstreutomographie gemessen. Die durch die Messungen geklärten numerischen Daten werden in Bezug auf die Menge an ausgefälltem Sauerstoff diskutiert. Die hier erhaltenen Ergebnisse stimmen gut mit der theoretischen Analyse überein, dass Sauerstoffpräzipitate Licht streuen. Die durch ir-Licht...
Te-dotierte GaSb-Einkristalle werden durch Messung von Hall-Effekt, Infrarot (IR) -Transmission und Photolumineszenz (PL) -Spektren untersucht. Es wurde gefunden, dass das GaSb vom n-Typ mit IR-Durchlässigkeit bis zu 60% durch kritische Kontrolle der Te-Dotierungskonzentration und elektrische Kompensation erhalten werden kann. Die Konzentration der nativen Akzeptor-assoziierten Defekte ist offensi...
Um Hochleistungs-Siliziumkarbid zu realisieren ( SiC ) Leistungsgeräte, niederohmige ohmsche Kontakte zu p-SiC müssen entwickelt werden. Um den ohmschen Kontaktwiderstand zu reduzieren, ist eine Verringerung der Barrierenhöhe an Metall / SiC-Grenzflächen oder eine Erhöhung der Dotierungskonzentration in den SiC-Substraten erforderlich. Da die Verringerung der Barrierenhöhe extrem schwierig ist, ni...
Das Entwicklung des SiC- und GaN-Leistungshalbleitermarktes Der aktuelle Stand der SiC - Technologie und des Marktes sowie der Entwicklungstendenz in den nächsten Jahren. Der Markt für SiC-Geräte ist vielversprechend. Verkauf von Schottky-Barriere Die Dioden sind ausgereift und es wird erwartet, dass die MOSFET-Lieferungen erheblich zunehmen werden in den nächsten drei Jahren. Laut Yole Développem...
In dieser Arbeit untersuchen wir unter Verwendung eines vollständig gekoppelten dreidimensionalen elektrothermischen Vorrichtungssimulators den Mechanismus der Effizienzverschlechterung bei Hochstrombetrieb in planar G ein Leuchtdioden auf N-Basis (LED). Insbesondere wurde die Verbesserung der Effizienzverschlechterung unter Verwendung von dickeren leitfähigen GaN-Substraten demonstriert. Zunächst...
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