Wir stellen einen neuartigen Prozess zur Integration vor Germanium mit Silizium-auf-Isolator (soi) Wafern. Germanium wird in SoI implantiert, das dann oxidiert wird, wobei das Germanium zwischen den zwei Oxidschichten (dem gewachsenen Oxid und dem vergrabenen Oxid) eingeschlossen wird. unter sorgfältiger Kontrolle der Implantations- und Oxidationsbedingungen erzeugt dieser Prozess eine dünne Schicht (aktuelle Experimente zeigen bis zu 20-30 nm) von fast reinem Germanium an. Die Schicht kann potentiell zur Herstellung von integrierten Photodetektoren verwendet werden, die für infrarote Wellenlängen empfindlich sind, oder kann als Keim für weitere dienen ger Äh Mani Wachstum. Die Ergebnisse werden aus der Elektronenmikroskopie und der Rutherford-Rückstreuanalyse sowie einer vorläufigen Modellierung unter Verwendung einer analytischen Beschreibung des Prozesses dargestellt.

Quelle: Iopscience

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