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  • gan HEMT epitaxy

    Gan-HaMt-Epitaxialwafer

    Galliumnitrid (Gan) Hemts (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) sind die nächste Generation von HF-Leistungstransistor-Technologie. Dank der Gan-Technologie bieten Pam-Xiamen nun Algan / Gan-Hemt-Epi-Wafer auf Saphir oder Silizium und Algan / Gan auf Saphir-Template .

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